Umowa obustronnie korzystna
13 listopada 2009, 11:56Zawarta wczoraj ugoda pomiędzy Intelem a AMD kończy długotrwały spór w przemyśle IT i może stać się początkiem poważnych zmian. Obie strony doszły bowiem do wniosku, że więcej stracą na kontynuowaniu kłótni, niż na dojściu do porozumienia.
Nieulotna superpamięć
29 lipca 2015, 09:29Intel i Micron poinformowały o powstaniu technologii pamięci nieulotnej 3D Xpoint (3D Crosspoint). Pozwala ona na produkowanie układów pamięci, które działają 1000-krotnie szybciej od kości NAND. Na pojedynczej podstawce można zmieścić 128 gigabitów (16 gigabajtów)
Miliardy dolarów pomogą USA w rozbudowie przemysłu półprzewodnikowego
1 sierpnia 2022, 09:23Po ponad dwóch latach prac obie izby amerykańskiego Kongresu przyjęły CHIPS and Science Act, ustawę, która ma zachęcić do inwestycji w amerykański przemysł półprzewodnikowy. Przewiduje ona wydatkowanie z budżetu federalnego 52 miliardów USD w ciągu pięciu lat i zezwala na udzielenie 25-procentowej ulgi podatkowej na budowę lub rozbudowę zakładów produkujących półprzewodniki lub urządzenia do ich wytwarzania. Ustawa to część pakietu o wartości 280 miliardów dolarów, który ma zwiększyć konkurencyjność USA na polu nowych technologii.
Intel wybuduje fabrykę w Chinach
26 marca 2007, 11:37Intel potwierdził, że wybuduje w Chinach fabrykę układów scalonych. Nie będzie to jednak, jak głosiły krążące pogłoski, fabryka procesorów.
NASA chce mieć laser do zbierania próbek
2 listopada 2011, 12:25Trzech naukowców z Goddard Space Fight Center otrzymało od NASA grant w wysokości 100 000 USD, który jest przeznaczony na rozwój technologii laserowego zbierania próbek. Ich bezdotykowe kolekcjonowanie eliminuje ryzyko zanieczyszczenia
Epoka grafenu długo nie nadejdzie
14 grudnia 2017, 10:13Grafen i inne alternatywy dla miedzi będą musiały jeszcze długo poczekać zanim będą powszechnie wykorzystywane w przemyśle półprzewodnikowym. W ubiegłym miesiącu przedstawiciele IBM-a wydali zaskakujące oświadczenie, w którym stwierdzili, że miedź może być wykorzystywane do tworzenia ścieżek w układach wykonywanych w technologii 5 nanometrów i mniejszych
Bardzo gęste flesze
13 grudnia 2007, 00:04O kolejnym osiągnięciu, dzięki któremu powstaną jeszcze nowocześniejsze pamięci krzemowe, informuje firma Toshiba. Opracowana przez nią struktura z podwójną warstwą tunelowania umożliwi budowanie pamięci flash w technologii 10 nm. Tak duża gęstość upakowania elementów (najnowocześniejsze obecnie mikroprocesory wykonane są w technologii 45 "aż" nanometrów) pozwoli budować układy pamięci flash o pojemności nawet 100 Gbit (12,5 gigabajta).
Pentagon oskarża
8 maja 2013, 09:14Amerykański Departament Obrony otwarcie oskarżył Chiny o przeprowadzanie cyberataków na amerykańskie sieci. Zwykle oficjele unikają oskarżeń wprost, dotychczas ogólnie mówiono o chińskim zaangażowaniu w tego typu przedsięwzięcia
Polscy fizycy eksperymentują w międzynarodowym laboratorium pod Moskwą
7 stycznia 2021, 04:07Badania superciężkich pierwiastków, prace nad nanomateriałami do magazynowania energii, badania rozwoju Wszechświata tuż po Wielkim Wybuchu - takie możliwości daje Zjednoczony Instytut Badań Jądrowych w Dubnej, którego członkiem jest Polska. O polskim wkładzie w prowadzone tam badania opowiada prof. Michał Waligórski.
Wodorowy przełom?
14 grudnia 2009, 16:26Radziecki program badawczy związany z podbojem kosmosu może przyczynić się do przełomu w technologii przechowywania wodoru wykorzystywanego jako paliwo. Niemieccy i izraelscy naukowcy zaadaptowali rozwiązania stosowane przez uczonych w ZSRR tak, by nadawały się do zasilania laptopów czy samochodów.
